Корпуса для мощных полупроводниковых лазерных диодов ЛУЮИ.432259.001, ЛУЮИ.432259.001-01

Описание

Корпуса для мощных полупроводниковых лазерных диодов

Корпуса для лазерных диодов – герметичные, металлостеклянные, предназначены для сборки и герметизации мощных полупроводниковых лазерных диодов.

ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ

Диаметр корпуса, мм

9

Длина волны, мкм

0,67; 0,78

Сопротивление изоляции при постоянном напряжении 100 В между изолированными токоведущими выводами, между выводами и основанием корпусов в НКУ, Ом, не менее

1010

Электрическая прочность изоляции между изолированными токоведущими выводами, между выводами и основанием корпусов, В

200

Показатель герметичности корпусов ЛУЮИ.432259.001, ЛУЮИ.432259.001-01 по скорости утечки гелия л∙мкм рт.ст./с , не более

5∙10-5

Показатель герметичности крышек ЛУЮИ.432259.003 по скорости утечки гелия, л∙мкм рт.ст./с, не более

5∙10-5

 

ИСПОЛНЕНИЯ ПО КОНСТРУКТИВНЫМ ОСОБЕННОСТЯМ

 

Наименование, обозначение корпуса

Обозначение КД

Масса, г

Примечание

Корпус

ЛУЮИ.432259.001

 

Основание

Крышка

 

ЛУЮИ.432259.001

 

ЛУЮИ.432259.002

ЛУЮИ.432259.003

 

1,15

 

1,0

0,15

 

Корпус

ЛУЮИ.432259.001-01

 

Основание

Крышка

 

ЛУЮИ.432254.001-01

 

ЛУЮИ.432259.002-01

ЛУЮИ.432259.003

 

1,15

 

1,0

0,15

 

 

УСЛОВНОЕ ОБОЗНАЧЕНИЕ

 

Обозначение корпусов при заказе должно состоять из слов «Корпус» или «Основание корпуса» или «Крышка корпуса» (при некомплектной поставке), условного обозначения корпуса, обозначения КД и обозначения ТУ.

Пример условного обозначения корпуса ЛУЮИ.432259.001-01 при заказе и в конструкторской документации при комплектной поставке:

КорпусЛУЮИ.432259.001-01 ЛУЮИ.432254.001 ТУ.

Пример условного обозначения основания корпуса ЛУЮИ.432259.001-01и крышкикорпуса ЛУЮИ.432259.001-01при заказе и в конструкторской документации при некомплектной поставке:

  • Основание корпуса ЛУЮИ.432259.002 -01 ЛУЮИ.432254.001 ТУ;
  • Крышка корпуса ЛУЮИ. 432259.003 ЛУЮИ.432254.001 ТУ.

 

ВНЕШНИЕ ВОЗДЕЙСТВУЮЩИЕ ФАКТОРЫ

 

Механический удар:

 

одиночного действия:

 

пиковое ударное ускорение, м/с2 (g)

5 000 (500)

длительность действия ударного ускорения, мс

0,1 – 2,0

многократного действия:

 

пиковое ударное ускорение, м/с2 (g)

400 (40)

длительность действия ударного ускорения, мс

2– 10

Повышенная рабочая температура среды, °С:

 

максимальное значение при эксплуатации

+155

Пониженная рабочая температура среды, °С:

 

минимальное значение при эксплуатации

минус 60

Повышенная относительная влажность при 35 °С, %

98

 

НАДЕЖНОСТЬ

 

Гамма-процентная наработка до отказа корпусов в составе изделий при γ =95% в пределах срока службы 15 лет, не менее, ч

 

25 000

Гамма-процентный срок сохраняемости корпусов в составе изделий при γ =95%, не менее, лет

15

 

УКАЗАНИЯ ПО ПРИМЕНЕНИЮ И ЭКСПЛУАТАЦИИ

 

  • Не допускается превышение предельных значений допустимых режимов эксплуатации, указанных в разделе 2 ЛУЮИ.432254.001 ТУ.
  • Посадку кристалла необходимо осуществлять методом пайки припоем при температуре не более плюс 260°С. Длительность пайки должна быть не более
  • 2 мин. Перед посадкой кристалла необходимо проводить предварительный подогрев оснований корпусов при температуре плюс 155°С в течение 20 мин.
  • Разварку выводов кристалла необходимо производить с помощью ультразвуковой сварки в корпусах ЛУЮИ.432259.001, ЛУЮИ.432259.001-01.
  • Корпуса необходимо герметизировать сваркой. Способ герметизации корпусов ЛУЮИ.432259.001, ЛУЮИ.432259.001-01 – контактная сварка.